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窒化ガリウムテンプレート

この度、中国Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd.にて製造販売しているGaNテンプレート基板の販売を開始いたしました。 ぜひご利用ください。

GaNテンプレートは MBE, CVDおよびMOCVDにより、III-V族窒化物エピ成長基板として使用可能です 

下記のGaNエピがサファイア基板上に可能です。

  • ノンドープGaN
  • 用途

  • GaNホモエピタキシャル成長とデバイス作成に最適です。
  • 製造、開発、そして基礎研究にすぐれた材料です。
  • GaN系の青/緑/白/UV LEDに適した基板 です。
  • MBE, CVDそしてMOCVDによるIII-V族窒化物エピ成長用基板です。
  • 厚膜 GaNLaser Lift Offを使用した高輝度 LEDの製造に使用可能です。

    2インチGaNテンプレート

    品番 GaN-T-C-U-C50 GaN-T-C-N-C50 GaN-T-C-P-c50
    50.8φo±0.1mm
    厚さ
    4μm , 20μm
    4μm
    方位
    C面 (0001)±0.5°
    タイプ N型(ノンドープ) N型(Siドープ) P型(Mgドープ)
    抵抗値 <0.5Ω・cm <0.05Ω・cm 〜10Ω・cm
    キャリア濃度 <5×1017cm-3 >1×1018cm‐3 >6×1016cm-3
    遷移率 〜300cm2/V-s 〜200cm2/V-s 〜10cm2/V-s
    転位密度

    5×108cm-2以下

    基板構造
    サファイア上にGaN(Standard:SSP Option:DSP)
    使用可能面
    >90%
    包装

    ・クラス100環境のクリーンルームで包装
    ・窒素雰囲気下で包装

    4インチGaNテンプレート

    品番 GaN-T-C-C100 GaN-C-N-C100
    100φo±0.1o
    厚さ
    4μm , 20μm
    方位
    C面 (0001)±0.5°
    タイプ N型(ノンドープ) N型(Siドープ)
    抵抗値

    < 0.5Ω・cm

    <0.05Ω・cm
    キャリア濃度 <5×1017cm‐3 >1×1018cm-3
    遷移率 〜300cm2/V-s 〜200cm2/V-s
    転位密度
    5×108cm-2以下
    基板構造
    サファイア上にGaN(Standard:SSP Option:DSP)
    使用可能面
    >90%
    包装 ・クラス100環境のクリーンルームで包装
    ・窒素雰囲気下で包装

    2インチGaN単結晶

    品番 Gan-FS-C-U-C50 GaN-FS-C-N-C50
    50.8φo±1mm
    厚さ 350±25μm
    使用可能面 >90%
    方位
    C面 (0001)  0.35°±0.15°のM軸向かってオフ角
    第1オリフラ
    (1-100)±0.5° オリフラ長16.0±1.0mm
    第2オリフラ
    (11-20)±3°  オリフラ長8.0±1.0o
    TTV
    (total thickness Variation)
    ≦15μm
    反り

    ≦20μm

    タイプ N型(ノンドープ) N型(Geドープ)
    転位密度
    5×108cm-2以下
    研磨 ・表面:Ra<0.2nm エピ研磨
    ・裏面: ファイングラウンド
    包装

    ・クラス100環境のクリーンルームで包装
    ・窒素雰囲気下で包装

    GaN単結晶(カスタムサイズ)

    品番 Gan-FS-C-U-C50 GaN-FS-C-N-C50
    サイズ
    10.0o×10.5o ;±0.2mm
    厚さ
    350±25μm
    方位 C面 (0001)  0.35°±0.15°のM軸向かってオフ角
    TTV
    ≦10μm
    反り
    ≦10μm
    タイプ N型(ノンドープ) N型(Geドープ)
    抵抗 <0.5Ω・cm <0.05Ω・cm
    転位密度
    5×108cm-2以下
    研磨 ・表面:Ra<0.2nm エピ研磨
    ・裏面: ファイングラウンド
    包装

    ・クラス100環境のクリーンルームで包装
    ・窒素雰囲気下で包装

    無極性GaN

    品番 GaN-FS-A-U/N/SI-S GaN-FS-M-U/N/SI-S
    サイズ 5.0〜10.0o×10.0o ;±0.2mm
    5.0〜10o×20.0o ; ±0.2mm
    厚さ 350±25μm
    方位

    A面 (11-20)  1°±0.2°の
    C 軸向かってオフ角

    M面 (11-20)  1°±0.2°の
    C 軸向かってオフ角

    TTV
    (Total Thickness Variation)

    ≦10μm

    反り

    ≦10μm

    タイプ・抵抗
    N型(ノンドープ)  <0.5Ω・cm
    N型(Geドープ) <0.05Ω・cm
    転位密度
    5×108cm-2以下
    使用可能面
    >90%
    研磨 ・表面:Ra<0.2nm エピ研磨
    ・裏面: ファイングラウンド
    包装

    ・クラス100環境のクリーンルームで包装
    ・窒素雰囲気下で包装

    2インチAlNテンプレート

    品番 AlN-T-C-C50
    50.8φo±0.1mm
    基板 サファイア(片面研磨)
    膜厚 4〜5μm
    方位 C面 (0001)±0.5°
    電導型 半絶縁性
    結晶品質 XRD FWHM of (0002) < 350 arcec
    XRD FWHM of (10-12) <450 arcec
    除外ゾーン <2mm
    表面粗さ

    Ra <1.5nm (10μm×10μm)

    包装

    ・クラス100環境のクリーンルームで包装
    ・窒素雰囲気下で包装

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